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Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7P06PL,RQ

Name: TK6R7P06PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK6R7P06PL,RQ
Price: 0.37408 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (744 reviews)

Número de pieza de MFG: TK6R7P06PL,RQ

Cantidad disponible: 72490 Piezas

Precio de referencia: USD 0.37408

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIX-H MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK6R7P06PL,RQ.pdf

TK6R7P06PL,RQ Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TK6R7P06PL,RQ
Número de parte futuro	FT-TK6R7P06PL,RQ
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIX-H
TK6R7P06PL,RQ Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	46A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 300µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1990pF @ 30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	66W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK6R7P06PL,RQ Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK6R7P06PL,RQ-FT

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