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Toshiba Semiconductor and Storage TK100L60W,VQ
- Número de pieza de MFG
- TK100L60W,VQ
- Cantidad disponible
- 77900 Piezas
- Precio de referencia
- USD 24.96
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- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descripción
- DTMOSIV MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- TK100L60W,VQ.pdf
TK100L60W,VQ Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | TK100L60W,VQ |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-TK100L60W,VQ |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | DTMOSIV |
| TK100L60W,VQ Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 5mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 360nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 15000pF @ 30V |
| Característica FET | Super Junction |
| Disipación de potencia (max) | 797W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3P(L) |
| Paquete / Caja | TO-3PL |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK100L60W,VQ Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | TK100L60W,VQ-FT |
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