casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK56E12N1,S1X
Número de pieza del fabricante | TK56E12N1,S1X |
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Número de parte futuro | FT-TK56E12N1,S1X |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TK56E12N1,S1X Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 120V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 56A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4200pF @ 60V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 168W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK56E12N1,S1X Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TK56E12N1,S1X-FT |
3N163-E3
Vishay Siliconix
3N164
Vishay Siliconix
VS-FB190SA10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-FC420SA10
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VS-FC270SA20
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SI5856DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5855DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5853DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5447DC-T1-E3
Vishay Siliconix
A3PN015-1QNG68I
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A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
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XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
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EPF10K30AQC208-1N
Intel