casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI5447DC-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI5447DC-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI5447DC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5447DC-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 76 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1206-8 ChipFET™ |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5447DC-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI5447DC-T1-E3-FT |
IRF620L
Vishay Siliconix
IRF624L
Vishay Siliconix
IRF630L
Vishay Siliconix
IRF634L
Vishay Siliconix
IRF634NLPBF
Vishay Siliconix
IRF640L
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
IRF644L
Vishay Siliconix
IRF644NLPBF
Vishay Siliconix
IRF710L
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XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
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AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel