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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-FB190SA10

Número de pieza de MFG
VS-FB190SA10
Cantidad disponible
19120 Piezas
Precio de referencia
USD 24.312
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Fecha de envío
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fabricante
Vishay Semiconductor Diodes Division
Breve descripción
- MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
VS-FB190SA10 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 190A
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 180A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.35V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 10700pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 568W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227
Paquete / Caja SOT-227-4, miniBLOC
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-FB190SA10 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto VS-FB190SA10-FT

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