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Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH,L1Q

Número de pieza de MFG
TPH2010FNH,L1Q
Cantidad disponible
29550 Piezas
Precio de referencia
USD 0.476
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante TPH2010FNH,L1Q
Número de parte futuro FT-TPH2010FNH,L1Q
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSVIII-H
TPH2010FNH,L1Q Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 600pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja 8-PowerVDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPH2010FNH,L1Q Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TPH2010FNH,L1Q-FT

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