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Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360(TE12L,F)

Name: 2SJ360(TE12L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SJ360(TE12L,F)
Availability: InStock
Rating: 4.6 (59 reviews)

Número de pieza de MFG: 2SJ360(TE12L,F)

Cantidad disponible: 79260 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: - MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: 2SJ360(TE12L,F).pdf

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Número de pieza del fabricante	2SJ360(TE12L,F)
Número de parte futuro	FT-2SJ360(TE12L,F)
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
2SJ360(TE12L,F) Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	730 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	155pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PW-MINI
Paquete / Caja	TO-243AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SJ360(TE12L,F) Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	2SJ360(TE12L,F)-FT

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