casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TPCP8005-H(TE85L,F
Número de pieza del fabricante | TPCP8005-H(TE85L,F |
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Número de parte futuro | FT-TPCP8005-H(TE85L,F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSV-H |
TPCP8005-H(TE85L,F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.9 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2150pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 840mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PS-8 (2.9x2.4) |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPCP8005-H(TE85L,F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPCP8005-H(TE85L,F-FT |
2SK2962,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2962,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2962,T6WNLF(J
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2SK2962,T6WNLF(M
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2SK2989(T6CANO,A,F
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2SK2989(T6CANO,F,M
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2SK2989(TPE6,F,M)
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2SK2989,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2989,T6F(J
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2SK3670(F,M)
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XC2V250-5FG256I
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M2GL050-FGG484I
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A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel