casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK6Q65W,S1Q
Número de pieza del fabricante | TK6Q65W,S1Q |
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Número de parte futuro | FT-TK6Q65W,S1Q |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSIV |
TK6Q65W,S1Q Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 180µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 390pF @ 300V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 60W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I-PAK |
Paquete / Caja | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK6Q65W,S1Q Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TK6Q65W,S1Q-FT |
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