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Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60W,S1VX

Número de pieza de MFG
TK31E60W,S1VX
Cantidad disponible
45050 Piezas
Precio de referencia
USD 4.90368
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
DTMOSIV MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-TK31E60W,S1VX
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie DTMOSIV
TK31E60W,S1VX Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 30.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3000pF @ 300V
Característica FET Super Junction
Disipación de potencia (max) 230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK31E60W,S1VX Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TK31E60W,S1VX-FT

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