casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 3N163-2
Número de pieza del fabricante | 3N163-2 |
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Número de parte futuro | FT-3N163-2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
3N163-2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 Ohm @ 100µA, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3.5pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 375mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-72 |
Paquete / Caja | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3N163-2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 3N163-2-FT |
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