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Toshiba Semiconductor and Storage TK17E65W,S1X

Name: TK17E65W,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK17E65W,S1X
Availability: InStock
Rating: 5.0 (306 reviews)

Número de pieza de MFG: TK17E65W,S1X

Cantidad disponible: 45760 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: DTMOSIV MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK17E65W,S1X.pdf

TK17E65W,S1X Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TK17E65W,S1X
Número de parte futuro	FT-TK17E65W,S1X
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DTMOSIV
TK17E65W,S1X Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	17.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 900µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1800pF @ 300V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK17E65W,S1X Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK17E65W,S1X-FT

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