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Toshiba Semiconductor and Storage TK100A06N1,S4X

Número de pieza de MFG
TK100A06N1,S4X
Cantidad disponible
25830 Piezas
Precio de referencia
USD 2.192
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-TK100A06N1,S4X
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSVIII-H
TK100A06N1,S4X Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 10500pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja TO-220-3 Full Pack
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK100A06N1,S4X Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TK100A06N1,S4X-FT

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