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STMicroelectronics STP25N60M2-EP

Name: STP25N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP25N60M2-EP
Price: 3.872 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (209 reviews)

Número de pieza de MFG: STP25N60M2-EP

Cantidad disponible: 73700 Piezas

Precio de referencia: USD 3.872

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fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: MDmesh™ M2-EP MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STP25N60M2-EP.pdf

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STP25N60M2-EP Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STP25N60M2-EP
Número de parte futuro	FT-STP25N60M2-EP
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	MDmesh™ M2-EP
STP25N60M2-EP Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	18A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	188 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1090pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP25N60M2-EP Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STP25N60M2-EP-FT

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