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STMicroelectronics STL4P2UH7

Name: STL4P2UH7
Brand: STMicroelectronics
SKU: STL4P2UH7
Availability: InStock
Rating: 5.0 (370 reviews)

Número de pieza de MFG: STL4P2UH7

Cantidad disponible: 79040 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: DeepGATE™, STripFET™ VII MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STL4P2UH7.pdf

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STL4P2UH7 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STL4P2UH7
Número de parte futuro	FT-STL4P2UH7
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DeepGATE™, STripFET™ VII
STL4P2UH7 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4.8nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	510pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerFlat™ (2x2)
Paquete / Caja	6-PowerWDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STL4P2UH7 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STL4P2UH7-FT

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