casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STL13N60M2
Número de pieza del fabricante | STL13N60M2 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-STL13N60M2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ II Plus |
STL13N60M2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 580pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 55W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerFlat™ (5x6) HV |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL13N60M2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STL13N60M2-FT |
STB11NM80T4
STMicroelectronics
STB12NM50FDT4
STMicroelectronics
STB12NM50N
STMicroelectronics
STB12NM60N
STMicroelectronics
STB130NS04ZBT4
STMicroelectronics
STB13NM50N
STMicroelectronics
STB13NM60N
STMicroelectronics
STB15NK50ZT4
STMicroelectronics
STB15NM60N
STMicroelectronics
STB15NM60ND
STMicroelectronics
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel