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STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP

Name: STQ2HNK60ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: STQ2HNK60ZR-AP
Price: 0.291312 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (527 reviews)

Número de pieza de MFG: STQ2HNK60ZR-AP

Cantidad disponible: 48770 Piezas

Precio de referencia: USD 0.291312

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: SuperMESH™ MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STQ2HNK60ZR-AP.pdf

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STQ2HNK60ZR-AP Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STQ2HNK60ZR-AP
Número de parte futuro	FT-STQ2HNK60ZR-AP
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SuperMESH™
STQ2HNK60ZR-AP Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	500mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	280pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-92-3
Paquete / Caja	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STQ2HNK60ZR-AP Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STQ2HNK60ZR-AP-FT

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