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STMicroelectronics STD2HNK60Z-1

Name: STD2HNK60Z-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD2HNK60Z-1
Price: 1.096 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (524 reviews)

Número de pieza de MFG: STD2HNK60Z-1

Cantidad disponible: 58120 Piezas

Precio de referencia: USD 1.096

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: SuperMESH™ MOSFET N-CH 600V 2A IPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STD2HNK60Z-1.pdf

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STD2HNK60Z-1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STD2HNK60Z-1
Número de parte futuro	FT-STD2HNK60Z-1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SuperMESH™
STD2HNK60Z-1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	280pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	I-PAK
Paquete / Caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD2HNK60Z-1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STD2HNK60Z-1-FT

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