casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STB42N60M2-EP
Número de pieza del fabricante | STB42N60M2-EP |
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Número de parte futuro | FT-STB42N60M2-EP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M2-EP |
STB42N60M2-EP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 34A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 87 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2370pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 250W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB42N60M2-EP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STB42N60M2-EP-FT |
TSM120N06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM160N10LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM170N06PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM650N15CR RLG
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TSM061NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM160P04LCRHRLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM052N06PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM120N10PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM301K12CQ RFG
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TSM240N03CX6 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
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LAXP2-8E-5FTN256E
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LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel