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Taiwan Semiconductor Corporation TSM052N06PQ56 RLG

Name: TSM052N06PQ56 RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM052N06PQ56 RLG
Availability: InStock
Rating: 4.9 (75 reviews)

Número de pieza de MFG: TSM052N06PQ56 RLG

Cantidad disponible: 34080 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción: - MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TSM052N06PQ56 RLG.pdf

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TSM052N06PQ56 RLG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TSM052N06PQ56 RLG
Número de parte futuro	FT-TSM052N06PQ56 RLG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM052N06PQ56 RLG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3686pF @ 30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PDFN (5x6)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM052N06PQ56 RLG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TSM052N06PQ56 RLG-FT

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