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Taiwan Semiconductor Corporation TSM210N02CX RFG

Name: TSM210N02CX RFG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM210N02CX RFG
Price: 0.083952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (241 reviews)

Número de pieza de MFG: TSM210N02CX RFG

Cantidad disponible: 30450 Piezas

Precio de referencia: USD 0.083952

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción: - MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TSM210N02CX RFG.pdf

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TSM210N02CX RFG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TSM210N02CX RFG
Número de parte futuro	FT-TSM210N02CX RFG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM210N02CX RFG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	600pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM210N02CX RFG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TSM210N02CX RFG-FT

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