casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TSM60NB260CI C0G
Número de pieza del fabricante | TSM60NB260CI C0G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-TSM60NB260CI C0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM60NB260CI C0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 3.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1273pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 32.1W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | ITO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM60NB260CI C0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TSM60NB260CI C0G-FT |
IRFD020PBF
Vishay Siliconix
IRFD220PBF
Vishay Siliconix
IRFD9014PBF
Vishay Siliconix
IRFD310PBF
Vishay Siliconix
IRFD9220PBF
Vishay Siliconix
IRFD320PBF
Vishay Siliconix
IRFD024
Vishay Siliconix
IRFD123PBF
Vishay Siliconix
IRFD214PBF
Vishay Siliconix
IRFD224PBF
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel