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Taiwan Semiconductor Corporation TSM160P04LCRHRLG

Name: TSM160P04LCRHRLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM160P04LCRHRLG
Price: 0.28 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (331 reviews)

Número de pieza de MFG: TSM160P04LCRHRLG

Cantidad disponible: 76730 Piezas

Precio de referencia: USD 0.28

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TSM160P04LCRHRLG.pdf

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TSM160P04LCRHRLG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TSM160P04LCRHRLG
Número de parte futuro	FT-TSM160P04LCRHRLG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
TSM160P04LCRHRLG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	51A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2712pF @ 20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PDFN (5x6)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM160P04LCRHRLG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TSM160P04LCRHRLG-FT

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