casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STB13N60M2
Número de pieza del fabricante | STB13N60M2 |
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Número de parte futuro | FT-STB13N60M2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ II Plus |
STB13N60M2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 580pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 110W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB13N60M2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STB13N60M2-FT |
TSM120NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM033NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM020N04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM120N06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM160N10LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM170N06PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM650N15CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM061NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM160P04LCRHRLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM052N06PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel