casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SS26-E3/51T
Número de pieza del fabricante | SS26-E3/51T |
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Número de parte futuro | FT-SS26-E3/51T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS26-E3/51T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 700mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 400µA @ 60V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS26-E3/51T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SS26-E3/51T-FT |
ES2G-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2GHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2GHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2BHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2BHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel