casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ES2GHE3/5BT
Número de pieza del fabricante | ES2GHE3/5BT |
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Número de parte futuro | FT-ES2GHE3/5BT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES2GHE3/5BT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -50°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2GHE3/5BT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ES2GHE3/5BT-FT |
SS23HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300TLS-FCG1152I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel