casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ESH2B-M3/52T
Número de pieza del fabricante | ESH2B-M3/52T |
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Número de parte futuro | FT-ESH2B-M3/52T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH2B-M3/52T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 930mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AA (SMB) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH2B-M3/52T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ESH2B-M3/52T-FT |
SS24-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel