casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQJA64EP-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQJA64EP-T1_GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SQJA64EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJA64EP-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 670pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 45W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJA64EP-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQJA64EP-T1_GE3-FT |
2N6660JTVP02
Vishay Siliconix
2N6660JTX02
Vishay Siliconix
2N6660JTXL02
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2N6660JTXP02
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2N6660JTXV02
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2N6661-2
Vishay Siliconix
2N6661-E3
Vishay Siliconix
2N6661JAN02
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2N6661JTVP02
Vishay Siliconix
2N6661JTX02
Vishay Siliconix
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
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