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Vishay Siliconix 2N6661JAN02

Name: 2N6661JAN02
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2N6661JAN02
Availability: InStock
Rating: 4.9 (223 reviews)

Número de pieza de MFG: 2N6661JAN02

Cantidad disponible: 49330 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: - MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: 2N6661JAN02.pdf

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Número de pieza del fabricante	2N6661JAN02
Número de parte futuro	FT-2N6661JAN02
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
2N6661JAN02 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	90V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	860mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	50pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-39
Paquete / Caja	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N6661JAN02 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	2N6661JAN02-FT

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