casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SUM110N04-03P-E3
Número de pieza del fabricante | SUM110N04-03P-E3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SUM110N04-03P-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUM110N04-03P-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 110A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6500pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.75W (Ta), 375W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 (D2Pak) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM110N04-03P-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SUM110N04-03P-E3-FT |
SI7882DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7882DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7886ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7886ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7888DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7888DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7898DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7898DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR112DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR168DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel