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Vishay Siliconix SQM100N02-3M5L_GE3

Name: SQM100N02-3M5L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM100N02-3M5L_GE3
Price: 1.019584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (54 reviews)

Número de pieza de MFG: SQM100N02-3M5L_GE3

Cantidad disponible: 87100 Piezas

Precio de referencia: USD 1.019584

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 100A TO263

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SQM100N02-3M5L_GE3.pdf

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SQM100N02-3M5L_GE3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SQM100N02-3M5L_GE3
Número de parte futuro	FT-SQM100N02-3M5L_GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQM100N02-3M5L_GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5500pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D²Pak)
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQM100N02-3M5L_GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SQM100N02-3M5L_GE3-FT

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