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2N6661-E3 Image

Vishay Siliconix 2N6661-E3

Número de pieza de MFG
2N6661-E3
Cantidad disponible
83830 Piezas
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
- MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
2N6661-E3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 90V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 860mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 50pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-39
Paquete / Caja TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N6661-E3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto 2N6661-E3-FT

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