casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPW35N60CFDFKSA1
Número de pieza del fabricante | SPW35N60CFDFKSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SPW35N60CFDFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPW35N60CFDFKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 34.1A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 118 mOhm @ 21.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1.9mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 212nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5060pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 313W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPW35N60CFDFKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SPW35N60CFDFKSA1-FT |
IPDD60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT60R150G7XTMA1
Infineon Technologies
IPT65R033G7XTMA1
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel