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Infineon Technologies IPDD60R102G7XTMA1

Name: IPDD60R102G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPDD60R102G7XTMA1
Price: 2.369504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (758 reviews)

Número de pieza de MFG: IPDD60R102G7XTMA1

Cantidad disponible: 78800 Piezas

Precio de referencia: USD 2.369504

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolMOS™ G7 MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPDD60R102G7XTMA1.pdf

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Número de pieza del fabricante	IPDD60R102G7XTMA1
Número de parte futuro	FT-IPDD60R102G7XTMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™ G7
IPDD60R102G7XTMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	23A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	102 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 390µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1320pF @ 400V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HDSOP-10-1
Paquete / Caja	10-PowerSOP Module
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPDD60R102G7XTMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPDD60R102G7XTMA1-FT

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