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Infineon Technologies IPT60R080G7XTMA1

Name: IPT60R080G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R080G7XTMA1
Price: 2.976576 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (670 reviews)

Número de pieza de MFG: IPT60R080G7XTMA1

Cantidad disponible: 25440 Piezas

Precio de referencia: USD 2.976576

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolMOS™ G7 MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPT60R080G7XTMA1.pdf

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IPT60R080G7XTMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPT60R080G7XTMA1
Número de parte futuro	FT-IPT60R080G7XTMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™ G7
IPT60R080G7XTMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	29A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 490µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1640pF @ 400V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-2
Paquete / Caja	8-PowerSFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPT60R080G7XTMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPT60R080G7XTMA1-FT

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