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Infineon Technologies IPS090N03LGAKMA1

Número de pieza de MFG
IPS090N03LGAKMA1
Cantidad disponible
18980 Piezas
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
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Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPS090N03LGAKMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 40A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1600pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / Caja TO-251-3 Stub Leads, IPak
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS090N03LGAKMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPS090N03LGAKMA1-FT

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