casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRL3716PBF
Número de pieza del fabricante | IRL3716PBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRL3716PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRL3716PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5090pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 210W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL3716PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRL3716PBF-FT |
IRF3704PBF
Infineon Technologies
IRF3704ZPBF
Infineon Technologies
IRF3706
Infineon Technologies
IRF3706PBF
Infineon Technologies
IRF3707
Infineon Technologies
IRF3707PBF
Infineon Technologies
IRF3707Z
Infineon Technologies
IRF3707ZPBF
Infineon Technologies
IRF3708
Infineon Technologies
IRF3709
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel