casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM8S43-E3/2D
Número de pieza del fabricante | SM8S43-E3/2D |
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Número de parte futuro | FT-SM8S43-E3/2D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PAR® |
SM8S43-E3/2D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 43V |
Voltaje - Avería (Min) | 47.8V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 76.7V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 86A |
Potencia - Pulso pico | 6600W (6.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S43-E3/2D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM8S43-E3/2D-FT |
SM8S11-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S12HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S13-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S100E-6TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
XC6SLX75-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQ208C
Xilinx Inc.
AX250-2FG484I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEB5R2F40I3LN
Intel
10AX032H2F35I2SG
Intel
XC3090L-8PC84C
Xilinx Inc.
5AGXBA5D4F35I5N
Intel