casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM8S11AHE3_A/I
Número de pieza del fabricante | SM8S11AHE3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-SM8S11AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S11AHE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 11V |
Voltaje - Avería (Min) | 12.2V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 18.2V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 363A |
Potencia - Pulso pico | 6600W (6.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S11AHE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM8S11AHE3_A/I-FT |
SM5S28HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100E-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG484C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027E3F27E2LG
Intel
5SGXEA5N3F45I3LN
Intel
5SGXEA5K2F35I3L
Intel
XC5VLX110T-2FF1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel