casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM8S12AHE3_A/I
Número de pieza del fabricante | SM8S12AHE3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-SM8S12AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S12AHE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 12V |
Voltaje - Avería (Min) | 13.3V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 19.9V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 332A |
Potencia - Pulso pico | 6600W (6.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S12AHE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM8S12AHE3_A/I-FT |
SM5S30HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX25-2FT256I
Xilinx Inc.
10M40SCE144A7G
Intel
5SGSED6N3F45I3LN
Intel
XC2VP2-5FFG672C
Xilinx Inc.
XC2VP30-5FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EPF81188AQC240-3
Intel