casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM8S12AHE3_A/I
Número de pieza del fabricante | SM8S12AHE3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-SM8S12AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S12AHE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 12V |
Voltaje - Avería (Min) | 13.3V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 19.9V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 332A |
Potencia - Pulso pico | 6600W (6.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S12AHE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM8S12AHE3_A/I-FT |
SM5S30HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5
Intel
EP3SE50F484I4L
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100FC324-1X
Intel