casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM8S26HE3/2E
Número de pieza del fabricante | SM8S26HE3/2E |
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Número de parte futuro | FT-SM8S26HE3/2E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S26HE3/2E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 26V |
Voltaje - Avería (Min) | 28.9V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 46.6V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 142A |
Potencia - Pulso pico | 6600W (6.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S26HE3/2E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM8S26HE3/2E-FT |
SM6S24AHE3J_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S24HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S26HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
A1010B-PLG68I
Microsemi Corporation
EP3SL340F1760I3
Intel
5SGXEA9K2H40I2
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel