casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM6S26AHE3_A/I
Número de pieza del fabricante | SM6S26AHE3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-SM6S26AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S26AHE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 26V |
Voltaje - Avería (Min) | 28.9V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 42.1V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 109A |
Potencia - Pulso pico | 4600W (4.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S26AHE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM6S26AHE3_A/I-FT |
SM5S20-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22A-6000HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV600-5FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FF1517C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FG484
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
5SGXEA5K1F40C2L
Intel
10M40DAF672C7G
Intel
10AX032H3F35I2SG
Intel
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324I7
Intel