casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM6S24AHE3J_A/I
Número de pieza del fabricante | SM6S24AHE3J_A/I |
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Número de parte futuro | FT-SM6S24AHE3J_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S24AHE3J_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 24V |
Voltaje - Avería (Min) | 26.7V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 38.9V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 118A |
Potencia - Pulso pico | 4600W (4.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S24AHE3J_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM6S24AHE3J_A/I-FT |
SM5S18-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S18HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S20HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23C8
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
XC7K160T-2FBG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP4CE40F29C6N
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EP20K200CB652C8
Intel