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Infineon Technologies SIDC23D120H8X1SA1
- Número de pieza de MFG
- SIDC23D120H8X1SA1
- Cantidad disponible
- 95350 Piezas
- Precio de referencia
- USD 3.072
- Nuestro precio
- Tenemos un gran descuento, contáctenos
- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Infineon Technologies
- Breve descripción
- - DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Diodos - Rectificadores - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- SIDC23D120H8X1SA1.pdf
SIDC23D120H8X1SA1 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | SIDC23D120H8X1SA1 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-SIDC23D120H8X1SA1 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| SIDC23D120H8X1SA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
| Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.97V @ 35A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 27µA @ 1200V |
| Capacitancia a Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | Die |
| Paquete del dispositivo del proveedor | Sawn on foil |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 175°C |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIDC23D120H8X1SA1 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | SIDC23D120H8X1SA1-FT |
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