casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / R9G01218XX
Número de pieza del fabricante | R9G01218XX |
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Número de parte futuro | FT-R9G01218XX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R9G01218XX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1800A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 1500A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 150mA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | DO-200AB, B-PUK |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-200AB, B-PUK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G01218XX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R9G01218XX-FT |
R7201209XXOO
Powerex Inc.
R7201212XXOO
Powerex Inc.
R7201406XXOO
Powerex Inc.
R7201409XXOO
Powerex Inc.
R7201606XXOO
Powerex Inc.
R7201609XXOO
Powerex Inc.
R7201806XXOO
Powerex Inc.
R7201809XXOO
Powerex Inc.
R7202006XXOO
Powerex Inc.
R7202009XXOO
Powerex Inc.
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel