casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / R9G01012XX
Número de pieza del fabricante | R9G01012XX |
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Número de parte futuro | FT-R9G01012XX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R9G01012XX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1200A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.45V @ 1500A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 150mA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | DO-200AB, B-PUK |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-200AB, B-PUK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G01012XX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | R9G01012XX-FT |
R7201009XXOO
Powerex Inc.
R7201012XXOO
Powerex Inc.
R7201206XXOO
Powerex Inc.
R7201209XXOO
Powerex Inc.
R7201212XXOO
Powerex Inc.
R7201406XXOO
Powerex Inc.
R7201409XXOO
Powerex Inc.
R7201606XXOO
Powerex Inc.
R7201609XXOO
Powerex Inc.
R7201806XXOO
Powerex Inc.
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel