casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIA450DJ-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIA450DJ-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIA450DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA450DJ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 240V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.52A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 Ohm @ 700mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.04nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 167pF @ 120V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.3W (Ta), 15W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paquete / Caja | PowerPAK® SC-70-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA450DJ-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIA450DJ-T1-GE3-FT |
TPC8031-H(TE12LQM)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8032-H(TE12LQM)
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TPC8033-H(TE12LQM)
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EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
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XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation