casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TPC8109(TE12L)
Número de pieza del fabricante | TPC8109(TE12L) |
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Número de parte futuro | FT-TPC8109(TE12L) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TPC8109(TE12L) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2260pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP (5.5x6.0) |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPC8109(TE12L) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TPC8109(TE12L)-FT |
SI4493DY-T1-GE3
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SI4620DY-T1-E3
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