casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI5853DDC-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI5853DDC-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI5853DDC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LITTLE FOOT® |
SI5853DDC-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 320pF @ 10V |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (max) | 1.3W (Ta), 3.1W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1206-8 ChipFET™ |
Paquete / Caja | 8-SMD, Flat Lead |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5853DDC-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI5853DDC-T1-E3-FT |
SI1067X-T1-E3
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Lattice Semiconductor Corporation
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