casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1069X-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI1069X-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI1069X-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1069X-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 184 mOhm @ 940mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.86nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 308pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 236mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-89-6 |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1069X-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI1069X-T1-GE3-FT |
SIE854DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE854DF-T1-GE3
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A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel