casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI1069X-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI1069X-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI1069X-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1069X-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 184 mOhm @ 940mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.86nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 308pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 236mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-89-6 |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1069X-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI1069X-T1-GE3-FT |
SIE854DF-T1-E3
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A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel